复合波激光光源及曝光装置 | |
冈崎洋二; 永野和彦; 蔵町照彦 | |
2004-08-25 | |
著作权人 | 亚得科技工程有限公司 |
专利号 | CN1523450A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 复合波激光光源及曝光装置 |
英文摘要 | 本发明涉及复合波激光光源及曝光装置。由包括准直透镜(11~17)及聚光透镜(20)的聚光光学系统将从GaN系列半导体激光器(LD1~7)射出的激光束(B1~7)聚光后耦合到多模光纤(30)而进行复合。作为半导体激光器,采用芯片状态的单谐振腔氮化物系化合物半导体激光器(LD1~7),将其隔着副基座(9)安装在Cu或Cu合金制散热基座(10)上,副基座(9),采用热膨胀系数为3.5~6.0×10-6/℃的材料并按200~400μm的厚度形成,半导体激光器(LD1~7),相对于该副基座,在两者的结合面内分割为多个AuSn共晶焊料层及金属化层,并以结朝下结构分割焊接。 |
公开日期 | 2004-08-25 |
申请日期 | 2003-07-10 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91541] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 亚得科技工程有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈崎洋二,永野和彦,蔵町照彦. 复合波激光光源及曝光装置. CN1523450A. 2004-08-25. |
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