| 一种高亮度超辐射发光二极管 | |
| 乔忠良; 薄报学; 高欣; 么艳平; 李梅; 王玉霞; 芦鹏; 张斯玉; 邓敏; 刘国军 | |
| 2010-05-19 | |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 专利号 | CN101710604A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高亮度超辐射发光二极管 |
| 英文摘要 | 超辐射发光二极管属于半导体光电子器件技术领域。现该领域已知超辐射二极管不足之处是输出功率低、光谱窄等缺点，严重限制了这类器件在相关领域中的应用。本发明之一种高亮度超辐射发光二极管，是通过在传统半导体激光器外延片P面上，经过光刻、刻蚀等工艺制作锥形光放大区、类S脊形种子光源区，光隔离槽等，并将它们集成在同一块芯片上，然后通过半导体激光器相关工艺方法制作高亮度超辐射发光二极管。该结构超辐射二极管具有输出功率高、光谱宽、发散角小等优点，对于促进这类器件在相关领域中的应用具有重要意义。 |
| 公开日期 | 2010-05-19 |
| 申请日期 | 2009-04-14 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91499]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乔忠良,薄报学,高欣,等. 一种高亮度超辐射发光二极管. CN101710604A. 2010-05-19. |
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