| 全固态紫外线激光器系统 | |
| U·韦克曼; H·莫恩克 | |
| 2008-02-06 | |
| 著作权人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 专利号 | CN101120493A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 全固态紫外线激光器系统 |
| 英文摘要 | 本发明涉及全固态紫外线激光器系统，这种全固态紫外线激光器系统包括呈VECSEL构造的至少一个半导体激光器(10)。这种半导体激光器(10)中的增益结构(3)发射以一种波长范围的基频辐射，这种波长范围可被倍频至该紫外线区域中的波长。用非线性光学晶体(6)来实现这种倍频，这种非线性光学晶体(6)用于产生二次谐波并布置在半导体激光器(10)的外延腔中。通过半导体激光器的电泵浦，可用公知的半导体材料如GaN来有效地产生低于200nm的波长。激光器系统更加紧凑并可以用低于光泵浦半导体激光器的成本制造。所提出的紫外线激光器系统既紧凑又可以用低于紫外线受激准分子激光器的成本制造和操作。 |
| 公开日期 | 2008-02-06 |
| 申请日期 | 2006-02-07 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91452]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | U·韦克曼,H·莫恩克. 全固态紫外线激光器系统. CN101120493A. 2008-02-06. |
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