| 有源區中含銦的垂直腔面發射激光器 | |
| R.H.約翰遜 | |
| 2005-12-09 | |
| 著作权人 | 霍尼韋爾國際公司 |
| 专利号 | HK1075334A |
| 国家 | 中国香港 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 有源區中含銦的垂直腔面發射激光器 |
| 英文摘要 | 量子阱和相关的垒层，包含在典型的GaAs衬底中或周围的氮(N)、铝(Al)、锑(Sb)、磷(P)和/或铟(In)，以获得长波长的VCSEL性能，如1260至1650nm范围的波长。根据本发明的特点，公开了包含至少一个由InGaAs组成的量子阱(11)、位于所述至少一个量子阱(11)两边的GaAsN垒层(12)和位于所述垒层(12)两边的GaAsN限制层(13)的垂直腔面发射激光器。也可给位于量子阱(11)的GaAsN垒层(12)两边和位于垒层(12)两边的AlGaAs限制层(13)配置InGaAs量子阱(11)。也可给位于至少一个量子阱(11)两边的AlGaAs垒层(12)和位于垒层(12)两边的GaAsN限制层(13)配置InGaAs量子阱(11)。使量子阱(11)具有50的厚度。也可使量子阱(11)具有至少40meV的深度。 |
| 公开日期 | 2005-12-09 |
| 申请日期 | 2005-08-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91434]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 霍尼韋爾國際公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R.H.約翰遜. 有源區中含銦的垂直腔面發射激光器. HK1075334A. 2005-12-09. |
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