| 一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法 | |
| 边继明; 李效民; 高相东; 于伟东 | |
| 2004-09-08 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 专利号 | CN1527361A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备空穴型氧化锌薄膜材料的方法。在本方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，在不同的材料表面上，经超声雾化热解反应制备空穴型氧化锌薄膜Zn2+∶NH4+∶In3+＝1∶(1－3)∶(0.05－0.2)；所用衬底为单晶硅片、玻璃片或蓝宝石；衬底温度控制在400～600℃。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对空穴型氧化锌薄膜电学性能和载流子浓度的控制，以满足制备氧化锌半导体材料和氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行，成本低廉。 |
| 公开日期 | 2004-09-08 |
| 申请日期 | 2003-09-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91389]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 边继明,李效民,高相东,等. 一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法. CN1527361A. 2004-09-08. |
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