矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件
刘志宏; 王圩
2005-06-01
著作权人中国科学院半导体研究所
专利号CN1622410A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件
英文摘要本发明一种矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件,其特征在于,包括以下基本结构:共m×n个垂直腔面发射激光器单元;其中所述的垂直腔面发射激光器单元包括尺寸依次递减的三个台:底反射镜台、光腔台、和顶反射镜台,还有p电极和n电极;该光腔台制作在底反射镜台之上,该顶反射镜台制作在光腔台之上;该p型电极制作在p型重掺杂导电层上、顶反射镜台周围,且每行垂直腔面发射激光器单元的p电极相连;该n型电极呈环形制作在n型重掺杂导电层上、光腔台周围,且每列垂直腔面发射激光器单元的n电极相连。
公开日期2005-06-01
申请日期2003-11-27
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91341]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘志宏,王圩. 矩阵寻址的垂直腔面发射激光器阵列器件. CN1622410A. 2005-06-01.
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