| 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 櫻井 淳; 吉川 昌宏 | |
| 2009-03-12 | |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 专利号 | JP2009054855A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】放熱性に優れ、光出力の低下を抑制する面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】VCSEL100は、基板102上に、n型のバッファ層104、n型の下部DBR106、活性領域108、電流狭窄層110、p型の上部DBR112、p型のGaAsコンタクト層114を含む半導体層を積層し、レーザ光を出射するポストPとパッド形成領域118とが半導体層に形成された溝116によって分離されている。パッド形成領域118の外縁122に、半導体層をエッチングし基板に至る深さを有する外周溝140が形成される。パッド形成領域118の表面から外周溝140の側面に至り放熱用金属膜138が形成されている。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2009-03-12 |
| 申请日期 | 2007-08-28 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91240]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫻井 淳,吉川 昌宏. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2009054855A. 2009-03-12. |
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