半导体激光器及其制造方法 | |
佐藤典文; 今西大介 | |
2005-04-27 | |
著作权人 | 索尼株式会社 |
专利号 | CN1610995A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
英文摘要 | 一种光输出效率高的半导体激光器元件,具有电流限制效率高、泄漏电流小、且温度特性良好,呈现低阈值电流,能够有效地将激光束限制在条形区内,且具有良好的光束轮廓。此半导体激光器元件(100)具有叠层结构,此叠层结构包含n-AlInP包层(103)、超晶格有源层(104)、p-AlInP第一包层(105)、GaInP腐蚀停止层(106)、以及形成在各层上且加工成条形脊形式的p-AlInP第二包层(107)、GaInP保护层(108)、p-GaAs接触层(109)。p侧电极(111)形成并直接覆盖在脊的顶部表面、脊侧面、以及脊侧面上的腐蚀停止层上。由n-AlInP包层和p-AlInP第一包层将超晶格有源层夹在之间,能够提高与有源层的能带隙差别。 |
公开日期 | 2005-04-27 |
申请日期 | 2003-09-19 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91018] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 索尼株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤典文,今西大介. 半导体激光器及其制造方法. CN1610995A. 2005-04-27. |
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