| 热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法 | |
| 舒世立; 佟存柱; 田思聪; 汪丽杰; 宁永强; 王立军 | |
| 2015-04-08 | |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 专利号 | CN104498766A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法，属于半导体激光器芯片封装技术领域。解决了现有技术中金属热沉热膨胀系数大，大部分陶瓷热沉导热系数差，而具有低膨胀、高导热特性的陶瓷热沉又价格昂贵难于加工的问题。该热沉由20–80vol.％的Cu和20–80vol.％的陶瓷颗粒组成，其中，陶瓷颗粒为TiB2、TiC、ZrB2或者ZrC。本发明的Cu热沉可以通过调节其陶瓷颗粒含量使其热膨胀系数在5.91×10-6/K到13.44×10-6/K范围内可调，进而使其与半导体激光器芯片热膨胀系数匹配，降低焊接的内应力，提高半导体激光器的可靠性和使用寿命，适用于半导体激光器芯片散热与封装。 |
| 公开日期 | 2015-04-08 |
| 申请日期 | 2014-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90984]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒世立,佟存柱,田思聪,等. 热膨胀系数可调的Cu热沉及其制备方法. CN104498766A. 2015-04-08. |
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