带有非吸收窗口的大功率半导体激光器
林涛; 张浩卿; 马新尖; 李超; 林楠
2013-01-23
著作权人西安理工大学
专利号CN102891435A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名带有非吸收窗口的大功率半导体激光器
英文摘要本发明公开了一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器,非吸收窗口位于激光器的脊型或者条形上方,且非吸收窗口分布在激光器腔面两端,呈半柱形结构分布,其平面部分即为激光器的出光腔面,其弧面部分位于激光器的腔长内部;非吸收窗口的深度应超过激光器有源区的上波导层;脊型波导结构中,非吸收窗口的直径大于等于1微米、且小于20微米;或者条形激光器结构中,非吸收窗口的直径大于等于3微米、且小于900微米。本发明的激光器,大大增加激光器的光学灾变损伤阈值,有效提高激光器的输出功率,有效减小杂质能级引起的光吸收,提升激光器的最大输出功率,工艺简单易行,具有规模化生产特征。
公开日期2013-01-23
申请日期2012-09-25
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90976]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
林涛,张浩卿,马新尖,等. 带有非吸收窗口的大功率半导体激光器. CN102891435A. 2013-01-23.
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