| 一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法 | |
| 宋国峰; 高建霞; 郭宝山; 陈良惠 | |
| 2008-06-18 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN101202419A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法 |
| 英文摘要 | 一种制造具有表面等离子调制效应的垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源的方法，是在普通垂直腔面发射激光器的基础上制备得到的。具体工艺包括在普通垂直腔面发射激光器出光腔面上生长一层增透膜，用聚焦离子束刻蚀的方法在出光孔范围内腔面的增透膜上制备亚波长周期性结构；去掉P面电极上的绝缘层后镀一层金属膜，然后用聚焦离子束刻蚀的方法在出光腔面的金属膜上制备亚波长尺寸的孔及亚波长周期性结构，将光限制在低损失微小谐振腔中，使光通过微小开口出射，生成高效率高方向性的近场光。 |
| 公开日期 | 2008-06-18 |
| 申请日期 | 2006-12-13 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90926]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋国峰,高建霞,郭宝山,等. 一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法. CN101202419A. 2008-06-18. |
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