QQ客服 官方微博 反馈留言

	多叠层隧道级联半导体激光器
	陈宏泰; 林琳; 车相辉; 王晶; 位永平; 张宇; 宁吉丰
	2015-08-19
著作权人	中国电子科技集团公司第十三研究所
专利号	CN102651536B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	多叠层隧道级联半导体激光器
英文摘要	本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。本发明采用带有超晶格的特殊隧道结形成隧道级联半导体激光器，大大提高了半导体激光器的输出光功率，且优化后的隧道结使得半导体激光器中隧道结处的内阻及其压降变小；通过在半导体激光器内加入扩展波导，大大减小了光输出的远场发散角；本发明具有较高的经济效益，有利于高功率半导体激光器的小型化应用。
公开日期	2015-08-19
申请日期	2012-05-28
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90911]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第十三研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈宏泰,林琳,车相辉,等. 多叠层隧道级联半导体激光器. CN102651536B. 2015-08-19.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。