| 一种能够实现光束二维操控的同相耦合VCSEL阵列 | |
| 徐晨; 潘冠中; 蒋国庆; 荀孟; 解意洋 | |
| 2016-08-17 | |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 专利号 | CN105870780A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种能够实现光束二维操控的同相耦合VCSEL阵列 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种能够实现光束二维操控的同相耦合VCSEL阵列，传统的机械控制方法限制了VCSEL阵列光束偏转的速度。本发明采用氢离子多次注入方式，并结合淀积表面纳米Au电流扩展层形成新型电极，其顶部P型金属电极设置在出光孔外围周向位置，表面纳米Au电流扩展层均匀布置在P型接触层上的出光孔表面，出光孔与出光孔之间无表面纳米Au电流扩展层，从而形成电隔离区域，使注入到阵列单元的电流不会互相影响，通过调节注入到各单元内的电流，使阵列各个出光单元的相位连续可调，实现阵列单元间高的同相耦合度和较大的二维光束角度调节，实现光束二维方向的连续调节，即使在角度偏转的过程中，也能保持较大的同相耦合效率。 |
| 公开日期 | 2016-08-17 |
| 申请日期 | 2016-04-14 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90874]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐晨,潘冠中,蒋国庆,等. 一种能够实现光束二维操控的同相耦合VCSEL阵列. CN105870780A. 2016-08-17. |
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