半导体激光装置及其制造方法 | |
土田和弘 | |
2017-06-23 | |
著作权人 | 夏普株式会社 |
专利号 | CN104718671B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
英文摘要 | 半导体激光装置(1)具备:半导体激光元件(4),其从射出区域(4a)射出激光;盖罩(5),其具有覆盖半导体激光元件(4)的周壁(5a)以及顶壁(5b),并且在顶壁(5b)开出与射出区域(4a)对置的窗部(5c);和透明的光学部件(6),其堵塞窗部(5c),光学部件(6)是使液状树脂(20)固化而形成的,并且由光学部件(6)来夹持顶壁(5b),光学部件(6)的与射出区域(4a)面对的光入射面(6b)通过液状树脂(20)的自然流动而形成。 |
公开日期 | 2017-06-23 |
申请日期 | 2014-08-21 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90864] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 夏普株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 土田和弘. 半导体激光装置及其制造方法. CN104718671B. 2017-06-23. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论