| 半导体激光装置及其制造方法 | |
| 土田和弘 | |
| 2017-06-23 | |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 专利号 | CN104718671B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 半导体激光装置(1)具备：半导体激光元件(4)，其从射出区域(4a)射出激光；盖罩(5)，其具有覆盖半导体激光元件(4)的周壁(5a)以及顶壁(5b)，并且在顶壁(5b)开出与射出区域(4a)对置的窗部(5c)；和透明的光学部件(6)，其堵塞窗部(5c)，光学部件(6)是使液状树脂(20)固化而形成的，并且由光学部件(6)来夹持顶壁(5b)，光学部件(6)的与射出区域(4a)面对的光入射面(6b)通过液状树脂(20)的自然流动而形成。 |
| 公开日期 | 2017-06-23 |
| 申请日期 | 2014-08-21 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90864]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土田和弘. 半导体激光装置及其制造方法. CN104718671B. 2017-06-23. |
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