| 一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法 | |
| 曹玉莲; 陈良惠 | |
| 2009-07-01 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN101471534A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法，包括：在外延片P面上淀积介质保护材料，采用标准的光刻工艺进行第一次光刻；去胶清洗，采用标准的光刻工艺进行二次光刻；刻蚀或腐蚀制作脊形模式控制区台面；用介质保护材料作掩膜制作锥形增益区台面；腐蚀剩余介质材料，清洗后重新淀积介质保护材料；采用标准光刻工艺形成掩膜，腐蚀模式控制区和锥形区上的介质保护材料，开出电流注入窗口；在外延片正面溅射或蒸发金属，制作P面电极；减薄、抛光外延片背面的N型GaAs衬底，蒸发N电极；利用激光划片机把制备的芯片划成巴条；对巴条进行腔面镀膜；把镀好腔面膜的巴条切割成单个的管芯；P面向下烧结在热沉上，进行N面电极引线。 |
| 公开日期 | 2009-07-01 |
| 申请日期 | 2007-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90785]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹玉莲,陈良惠. 一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法. CN101471534A. 2009-07-01. |
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