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	在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法
	董伟伟; 方晓东; 邵景珍; 邓赞红; 陶汝华
	2009-05-06
著作权人	中国科学院安徽光学精密机械研究所
专利号	CN101425467A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法
英文摘要	本发明公开了一种在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法，采用脉冲激光沉积法、溅射法等真空法或者化学溶液法等非真空薄膜制备方法在柔性衬底上室温至衬底软化温度范围内沉积n－TCO、p－TCO材料的非晶薄膜或依次沉积p－TCO薄膜和n－TCO薄膜制备透明p－n结，其特征在于：通过原位或异位激光退火使n－TCO、p－TCO材料的非晶薄膜结晶或者通过激光退火使透明p－n结的各层薄膜结晶。利用激光退火技术使柔性衬底上制备的n－TCO薄膜、p－TCO薄膜以及透明p－n结晶化并具有良好的光电性能。克服柔性衬底不耐高温处理以及各种单晶及硬质衬底上TCO薄膜和异质结不能卷曲、折叠、质量大等缺点，开发各种TCO薄膜和透明p－n结的新用途。
公开日期	2009-05-06
申请日期	2008-11-25
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90782]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院安徽光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	董伟伟,方晓东,邵景珍,等. 在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法. CN101425467A. 2009-05-06.

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