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	环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构
	程凤敏; 张锦川; 贾志伟; 赵越; 周予虹; 刘峰奇; 王利军; 刘俊岐; 刘舒曼; 王占国
	2017-08-18
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN107069432A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构
英文摘要	一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。
公开日期	2017-08-18
申请日期	2017-06-20
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90759]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	程凤敏,张锦川,贾志伟,等. 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构. CN107069432A. 2017-08-18.

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