| 半导体装置的制造方法 | |
| 山口晴央 | |
| 2015-07-29 | |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 专利号 | CN104810430A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明得到一种能够改善器件特性和可靠性的半导体装置的制造方法。在n型InP衬底(1)上方使n型AlInAs缓冲层(3)生长。在n型AlInAs缓冲层(3)上方依次使无掺杂AlInAs雪崩倍增层(4)、p型AlInAs电场缓和层(5)、n-型InGaAs光吸收层(6)以及n-型InP窗口层(7)生长而形成雪崩光电二极管。在p型AlInAs电场缓和层(5)中作为p型掺杂物而掺杂碳。在n型AlInAs缓冲层(3)中，与具有导电性的杂质一起掺杂碳。 |
| 公开日期 | 2015-07-29 |
| 申请日期 | 2015-01-27 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90756]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口晴央. 半导体装置的制造方法. CN104810430A. 2015-07-29. |
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