| 一种电吸收调制激光器及其制造方法 | |
| 熊永华; 万枫; 王任凡 | |
| 2017-05-31 | |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 专利号 | CN106785916A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种电吸收调制激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及电吸收调制激光器技术领域，提供了一种电吸收调制激光器及其制造方法。其中所述激光器部分的衬底上刻制有光栅结构，所述光栅结构的两侧制作有选择生长图形，所述选择生长图形上和电吸收调制器部分中对应延伸自所述生长图形区域外延生长有多量子阱有源区；其中，所述多量子阱有源区呈台面结构；所述激光器部分和电吸收调制器部分还包括掺铁InP层、n型InP层、P型InP包层和P型掺杂InP欧姆接触层；所述n型InP层和P型InP包层各自分别位于所述台面结构的两侧。本发明实施例不仅通过所述掺铁InP层实现了光场限制，改善芯片的远场发散角特性；而且，掺铁掩埋还能有效提高调制器高速频响特性。 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 申请日期 | 2017-02-27 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90723]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊永华,万枫,王任凡. 一种电吸收调制激光器及其制造方法. CN106785916A. 2017-05-31. |
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