| 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 | |
| 冯文; 潘教青; 周帆; 王宝军; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 | |
| 2007-11-14 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN101071935A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上大面积制作吸收型增益耦合光栅；(2)利用等离子体化学气相沉积技术，在外延片上生长介质膜，采用光刻腐蚀技术，制作介质掩模图形；(3)利用窄条选择外延生长技术，依次生长下限制层、有源区、上限制层和保护层，形成梯形的结构；(4)在外延片上接着生长接触层；(5)在外延片上大面积生长一层绝缘层，并在梯形有源区的上方开出电极窗口；(6)在外延片上制作p面电极；(7)对外延片的衬底背面减薄，制作n面电极；(8)解理外延片制作管芯。 |
| 公开日期 | 2007-11-14 |
| 申请日期 | 2006-05-12 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90707]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯文,潘教青,周帆,等. 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法. CN101071935A. 2007-11-14. |
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