一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法 | |
常江; 李庭宇; 周日凯; 付永安; 孙莉萍 | |
2017-06-20 | |
著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
专利号 | CN106877169A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法 |
英文摘要 | 本发明涉及激光器技术领域,提供了一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法。其中结构包括SOI衬底、三五族有源区波导、负折射率温度系数的聚合物波导和硅波导,所述三五族有源区波导的出光口与所述硅波导的进光口耦合,所述硅波导的出光口与所述聚合物波导的进光口耦合;所述聚合物波导的出光口与所述激光器的出光口耦合。本发明实施例可以实现激光器的热不敏感,温度变化时,激光器光波长稳定不变,不需要额外使用TEC来控温,能大大降低模块的功耗,实现相同封装方式下更多路光通道的封装,本发明实施例中激光器制作在SOI上,芯片发光可以直接进入光波导中传输,不需要额外进行耦合,利于集成与批量生产。 |
公开日期 | 2017-06-20 |
申请日期 | 2017-03-31 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90688] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 常江,李庭宇,周日凯,等. 一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法. CN106877169A. 2017-06-20. |
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