一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构 | |
李占国; 尤明慧; 乔忠良; 王勇; 高欣; 刘国军; 曲轶; 马晓辉 | |
2015-03-25 | |
著作权人 | 长春理工大学 |
专利号 | CN104466679A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构 |
英文摘要 | 本发明提出了一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构,其基本思想是采用InAsSb量子点,在理论上InAsSb量子点可以满足量子点的发射波长进入3μm和5μm通信波段。在预先刻蚀的“类似倒三棱锥体”图形衬底上制备高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜(DBR)层,这在一定程度上增加了量子点和起始生长界面的物理距离,同时,大大地增加了量子点发光的捕获效率,使发光效率大大提高。可实现高质量超低密度、位置可控,加之高反射率DBR层对量子点发光的有效收集,并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。 |
公开日期 | 2015-03-25 |
申请日期 | 2014-12-25 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90686] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 长春理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李占国,尤明慧,乔忠良,等. 一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构. CN104466679A. 2015-03-25. |
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