一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构
李占国; 尤明慧; 乔忠良; 王勇; 高欣; 刘国军; 曲轶; 马晓辉
2015-03-25
著作权人长春理工大学
专利号CN104466679A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构
英文摘要本发明提出了一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构,其基本思想是采用InAsSb量子点,在理论上InAsSb量子点可以满足量子点的发射波长进入3μm和5μm通信波段。在预先刻蚀的“类似倒三棱锥体”图形衬底上制备高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜(DBR)层,这在一定程度上增加了量子点和起始生长界面的物理距离,同时,大大地增加了量子点发光的捕获效率,使发光效率大大提高。可实现高质量超低密度、位置可控,加之高反射率DBR层对量子点发光的有效收集,并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。
公开日期2015-03-25
申请日期2014-12-25
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90686]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
李占国,尤明慧,乔忠良,等. 一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构. CN104466679A. 2015-03-25.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace