| 用于III－V族化合物器件的低温Au－In－Au键合方法 | |
| 谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌; 黄占超 | |
| 2008-10-29 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 专利号 | CN101295753A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于III－V族化合物器件的低温Au－In－Au键合方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种用于III－V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au－In－Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学性质，同时整合了III－V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢靠，且键合过程不会使键合后器件结构的原有的光学和电学性能变差，有利于器件结构的制作。有望在金属波导及其它半导体光电器件制作中得到广泛应用。 |
| 公开日期 | 2008-10-29 |
| 申请日期 | 2007-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90666]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢正生,吴惠桢,劳燕锋,等. 用于III－V族化合物器件的低温Au－In－Au键合方法. CN101295753A. 2008-10-29. |
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