| 半导体光集成电路 | |
| 水村通伸 | |
| 2015-08-26 | |
| 著作权人 | 株式会社V技术 |
| 专利号 | CN104871379A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光集成电路 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体光集成电路，其通过发光功能部与光波导部的无边界化，不使用光耦合器而实现了较高的光耦合效率。半导体光集成电路(1)具备：半导体基板(10)；形成于半导体基板(10)且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部(10pn)；形成于pn接合部(10pn)上的一部分的发光功能部(2)；以及形成于与发光功能部(2)连续的pn接合部(10pn)上的光波导部(3)。发光功能部(2)向pn接合部(10pn)供给驱动电流，由pn接合部(10pn)产生光信号，光波导部(3)通过被供给于pn接合部(10pn)的放大电流，一边放大光信号，一边传输光信号。 |
| 公开日期 | 2015-08-26 |
| 申请日期 | 2013-12-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90648]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社V技术 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水村通伸. 半导体光集成电路. CN104871379A. 2015-08-26. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论