| 半导体硅太赫兹激光源器件 | |
| 陆卫; 余晨辉; 张波; 李天信; 陈平平; 李宁; 李志锋; 陈效双 | |
| 2008-08-27 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 专利号 | CN101252255A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体硅太赫兹激光源器件 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体硅太赫兹激光源器件，包括：泵浦源、硅THz激光器芯片，为硅THz激光器芯片提供制冷的制冷系统。本发明的特征是：利用硅THz激光器芯片中具有更长2p0能级寿命的电离能为40.09meV类氢浅施主杂质NSD来替代硅THz激光器芯片中的杂质P实现5.40THz波段的激光输出。本发明的优点是容易实现2p0能级与较低s态之间的粒子数反转，此类THz激光源器件的品质因子较基于硅中V族浅施主杂质的激光源器件提高约3倍左右，极大提高了THz激光源器件的效率与性能。本发明器件所用硅材料制备方法为提拉法，工艺成熟，均匀性好。 |
| 公开日期 | 2008-08-27 |
| 申请日期 | 2008-02-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90578]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆卫,余晨辉,张波,等. 半导体硅太赫兹激光源器件. CN101252255A. 2008-08-27. |
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