| 降低蓝移的InP基激光器 | |
| R·巴特 | |
| 1999-06-30 | |
| 著作权人 | 贝尔通讯研究股份有限公司 |
| 专利号 | CN1221520A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 降低蓝移的InP基激光器 |
| 英文摘要 | 一种InP基光电子集成电路,包括具有一个或多个量子阱(36、38)的有源层。根据本发明,AlGaInAs势垒层(34)较佳地在量子阱与衬底(30)之间形成,阻止物质从衬底和底部InP层迁移,迁移会使量子阱的发射波长向短波长漂移,即蓝移。能够在势垒层上形成图案,在退火期间使量子阱一部分面积呈现向短波长蓝移而另一部分面积保持其较长的波长。 |
| 公开日期 | 1999-06-30 |
| 申请日期 | 1997-05-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90558]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 贝尔通讯研究股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R·巴特. 降低蓝移的InP基激光器. CN1221520A. 1999-06-30. |
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