| 使用ＣＭＯＳ製造技術之波導形成 | |
| 歐窟特 傑森 史考特; 藍姆 瑞吉姆 賈嘎; 瑪塔 凱倫 卡提克 | |
| 2015-08-01 | |
| 著作权人 | 美國麻省理工學院 |
| 专利号 | TW201530945A |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 使用ＣＭＯＳ製造技術之波導形成 |
| 英文摘要 | 將波導積體於標準電子製程內之習知方法通常涉及：於該鑄造廠內製程內使用介電層(諸如多晶矽、單晶矽或氮化矽)或於作為鑄造廠製程後之後端中沈積且圖案化介電層。在本方法中，該矽手柄之後端在鑄造廠內處理之後被蝕刻去除，以便曝露使用標準鑄造廠內處理(例如，互補金屬氧半導體(CMOS)處理)界定的空隙或溝槽。將介電材料沈積於空隙或溝槽中得到經積體於晶圓之前端內的光波導。例如，形成於鑄造廠內之淺溝槽隔離(STI)層在晶粒或晶圓之前端內可用作鑲嵌製程中之高解析度圖案化波導模板。利用高折射率介電材料填充該溝槽得到可引導可見光及/或紅外光的波導，其取決於該波導之尺寸及折射率對比度。 |
| 公开日期 | 2015-08-01 |
| 申请日期 | 2014-10-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90551]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 美國麻省理工學院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 歐窟特 傑森 史考特,藍姆 瑞吉姆 賈嘎,瑪塔 凱倫 卡提克. 使用ＣＭＯＳ製造技術之波導形成. TW201530945A. 2015-08-01. |
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