| 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法 | |
| 戴兴; 李梦珂; 李雅博; 周旭亮; 于红艳; 潘教青 | |
| 2017-06-23 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN106887790A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法，多波长硅基混合集成slot激光器阵列包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列，其中，所述硅基波导结构包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的n条波导通道，每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分，所述各波导通道的slot部分的宽度均不同，其中n≥2，n为正整数。 |
| 公开日期 | 2017-06-23 |
| 申请日期 | 2017-04-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90543]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 戴兴,李梦珂,李雅博,等. 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法. CN106887790A. 2017-06-23. |
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