| 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 | |
| 于春满; 朱海军; 张兴 | |
| 2016-11-09 | |
| 著作权人 | 成都斯科泰科技有限公司 |
| 专利号 | CN106099643A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 |
| 英文摘要 | 一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。 |
| 公开日期 | 2016-11-09 |
| 申请日期 | 2016-08-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90513]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 成都斯科泰科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于春满,朱海军,张兴. 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构. CN106099643A. 2016-11-09. |
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