| 电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置 | |
| 陈鑫; 韩宇; 李鸿建 | |
| 2016-11-16 | |
| 著作权人 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 专利号 | CN106129809A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、选择衬底，在衬底上依次生长覆盖缓冲层；S2、在缓冲层上依次生长下波导层、多量子阱层和上波导层；并分成激光器生长区域和电吸收调制器生长区域；S3、在上波导层上方依次生长停止层、包覆层和接触层；S4、在接触层上依次制作脊型波导、隔离区和接触条；S5、制作激光光栅；S6、制作P面电极、N面电极，并将衬底剪薄；S7、解条、镀膜。采用脊型波导结构，同时利用侧向耦合光栅进行选频和光反馈，进一步减少芯片制作成本。 |
| 公开日期 | 2016-11-16 |
| 申请日期 | 2016-08-25 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90502]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈鑫,韩宇,李鸿建. 电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置. CN106129809A. 2016-11-16. |
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