一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺 | |
李效民; 张灿云; 边继明; 于伟东; 高相东 | |
2006-06-07 | |
著作权人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
专利号 | CN1783433A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺 |
英文摘要 | 本发明涉及一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜及其制备工艺,采用超声喷雾热解法,以Zn的有机或无机盐溶液,N的有机或无机盐溶液和Al的无机盐溶液的混合溶液为前驱体,通过调节Zn2+∶NH4+∶Al3+=1∶(1-3)∶(0.01-0.2)并控制衬底温度在600-900℃可实现对p型ZnO薄膜电性能的控制。本发明制备的p型ZnO薄膜的电阻率在10-1-10-2Ωcm,迁移率最高可达103cm2V-1s-1,并且薄膜的晶粒大小均匀、排列致密,同时薄膜具有强的(101)取向的结晶特性和常温紫外发光特性。 |
公开日期 | 2006-06-07 |
申请日期 | 2004-12-03 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90459] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李效民,张灿云,边继明,等. 一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺. CN1783433A. 2006-06-07. |
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