一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法
熊永华; 余向红; 王任凡
2013-05-08
著作权人武汉电信器件有限公司
专利号CN103094835A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法
英文摘要本发明提供一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法,包括:在激光器、调制器的InP衬底表面分别外延生长有源层、波导层,在有源层、波导层的表面均外延生产InP层;在InP层的表面沉积隔离层;在隔离层的表面旋涂光刻胶;采用曝光显影的方法,利用光刻板在光刻胶和隔离层的表面进行光刻,去除部分隔离层;打开扩散源进行元素扩散,对应去除隔离层的InP层形成元素扩散,保留有隔离层的InP层未形成元素扩散。本发明提出一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法,采用扩散方法改善电吸收调制激光器的隔离电阻特性,可以通过扩散浓度和扩散区域长度来调节隔离电阻值,对光波导层没有损伤,传输损耗低,具有高可靠性。
公开日期2013-05-08
申请日期2013-01-14
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90454]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位武汉电信器件有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
熊永华,余向红,王任凡. 一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法. CN103094835A. 2013-05-08.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace