四段式放大反馈混沌光发射激光器结构 | |
潘碧玮; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 周代兵; 朱洪亮; 王圩; 张莉萌 | |
2015-09-30 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN104953468A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 四段式放大反馈混沌光发射激光器结构 |
英文摘要 | 一种四段式放大反馈混沌光发射激光器结构,包括:一衬底;一n-InP缓冲层制作在衬底上;一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上;一多量子阱增益层制作在InGaAsP下限制层上;一InGaAsP上限制层制作在多量子阱有源层上;一p-InP盖层制作于InGaAsP上限制层上方,其上有一凸起的脊形;一p-InGaAs接触层制作于p-InP盖层的上方;一TiAu金属电极制作于p-InGaAs接触层的上方;一AuGeNi金属电极制作于衬底的下方,形成四段式放大反馈混动光发射激光器结构;该四段式放大反馈混动光发射激光器结构分为激光器区、相区、放大反馈区和透明区。本发明具有可单片集成、结构紧凑、稳定性好、制作工艺简单的优点。 |
公开日期 | 2015-09-30 |
申请日期 | 2014-03-25 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90385] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘碧玮,陆丹,赵玲娟,等. 四段式放大反馈混沌光发射激光器结构. CN104953468A. 2015-09-30. |
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