| 四段式放大反馈混沌光发射激光器结构 | |
| 潘碧玮; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 周代兵; 朱洪亮; 王圩; 张莉萌 | |
| 2015-09-30 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN104953468A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 四段式放大反馈混沌光发射激光器结构 |
| 英文摘要 | 一种四段式放大反馈混沌光发射激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一多量子阱增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在多量子阱有源层上；一p-InP盖层制作于InGaAsP上限制层上方，其上有一凸起的脊形；一p-InGaAs接触层制作于p-InP盖层的上方；一TiAu金属电极制作于p-InGaAs接触层的上方；一AuGeNi金属电极制作于衬底的下方，形成四段式放大反馈混动光发射激光器结构；该四段式放大反馈混动光发射激光器结构分为激光器区、相区、放大反馈区和透明区。本发明具有可单片集成、结构紧凑、稳定性好、制作工艺简单的优点。 |
| 公开日期 | 2015-09-30 |
| 申请日期 | 2014-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90385]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘碧玮,陆丹,赵玲娟,等. 四段式放大反馈混沌光发射激光器结构. CN104953468A. 2015-09-30. |
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