| 发射辐射的半导体本体 | |
| 马丁·斯特拉斯伯格; 卢茨·赫佩尔; 马蒂亚斯·扎巴蒂尔; 马蒂亚斯·彼得; 乌韦·施特劳斯 | |
| 2010-03-31 | |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 专利号 | CN101689594A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发射辐射的半导体本体 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种发射辐射的半导体本体，其具有接触层(3)和有源区(7)，其中该半导体本体具有设置在接触层与有源区之间的隧道结(4)，并且有源区具有多量子阱结构，该多量子阱结构包含至少两个有源层(71)，所述有源层在工作电流注入到半导体本体中时发射电磁辐射。 |
| 公开日期 | 2010-03-31 |
| 申请日期 | 2008-06-20 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90371]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马丁·斯特拉斯伯格,卢茨·赫佩尔,马蒂亚斯·扎巴蒂尔,等. 发射辐射的半导体本体. CN101689594A. 2010-03-31. |
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