| Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法 | |
| 上田和正; 西川直宏; 笠原健司 | |
| 2009-05-13 | |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 专利号 | CN101432850A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及III－V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(I－1)～(I－6)：(I－1)在衬底基板上配置无机粒子；(I－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I－3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I－4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I－5)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(I－6)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II－1)～(II－7)：(II－1)在衬底基板上配置无机粒子；(II－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II－3)去除无机粒子；(II－4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II－5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II－6)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(II－7)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。 |
| 公开日期 | 2009-05-13 |
| 申请日期 | 2007-03-08 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90301]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上田和正,西川直宏,笠原健司. Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法. CN101432850A. 2009-05-13. |
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