| 半导体装置的制造方法 | |
| 津波大介; 河原弘幸; 柳乐崇 | |
| 2015-08-26 | |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 专利号 | CN104868360A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种半导体装置的制造方法，其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量，一边将化合物半导体层的凸部去除，而不会产生问题，该半导体装置的制造方法具有：激光部形成工序，该工序在衬底的一部分处形成激光部，该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模；半导体层形成工序，该工序由含有In的材料形成化合物半导体层，该化合物半导体层与该激光部的侧面接触，在与该激光部接触的部分处具有凸部；以及湿蚀刻工序，该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂，将该凸部去除，并将该化合物半导体层平坦化。而且，通过该湿蚀刻工序，在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。 |
| 公开日期 | 2015-08-26 |
| 申请日期 | 2014-11-28 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90275]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 津波大介,河原弘幸,柳乐崇. 半导体装置的制造方法. CN104868360A. 2015-08-26. |
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