| 氮化物半导体装置的制造方法 | |
| 大野彰仁; 竹见政义; 山本高裕 | |
| 2011-07-20 | |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 专利号 | CN102130425A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体装置的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及氮化物半导体装置的制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成n型Al0.03Ga0.97N覆盖层（12）以及n型GaN光引导层（14）。在n型GaN光引导层（14）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，在载气中添加氢，形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层（16）。在活性层（16）上，使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料，形成p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层（18）、p型GaN光引导层（20）、p型Al0.03Ga0.97N覆盖层（22）、p型GaN接触层（24）。 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2011-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90272]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野彰仁,竹见政义,山本高裕. 氮化物半导体装置的制造方法. CN102130425A. 2011-07-20. |
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