氮化物半导体装置的制造方法 | |
大野彰仁; 竹见政义; 山本高裕 | |
2011-07-20 | |
著作权人 | 三菱电机株式会社 |
专利号 | CN102130425A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 氮化物半导体装置的制造方法 |
英文摘要 | 本发明涉及氮化物半导体装置的制造方法。在n型GaN衬底(10)上形成n型Al0.03Ga0.97N覆盖层(12)以及n型GaN光引导层(14)。在n型GaN光引导层(14)上,使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料,在载气中添加氢,形成由含In的氮化物类半导体构成的活性层(16)。在活性层(16)上,使用氨和肼衍生物作为Ⅴ族原料,形成p型Al0.2Ga0.8N电子阻挡层(18)、p型GaN光引导层(20)、p型Al0.03Ga0.97N覆盖层(22)、p型GaN接触层(24)。 |
公开日期 | 2011-07-20 |
申请日期 | 2011-01-18 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90272] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱电机株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野彰仁,竹见政义,山本高裕. 氮化物半导体装置的制造方法. CN102130425A. 2011-07-20. |
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