| 采用InGaSb柱形量子点实现高效率5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法 | |
| 李占国; 刘国军; 尤明慧; 李林; 李梅; 乔忠良; 邓昀; 王勇; 王晓华; 赵英杰 | |
| 2010-01-13 | |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 专利号 | CN101626143A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 采用InGaSb柱形量子点实现高效率5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法 |
| 英文摘要 | III－V族锑化物以其特有的晶格参数、能带结构特性，在近、中红外半导体器件方面显示出越来越重要得研究价值和应用价值。GaAs基5μm的Sb基量子点激光器的研制将提供替代InP基材料器件的可能，克服InP基材料其间难以高密度集成，温度稳定性差等缺点，为光通讯提供一种价格低廉、功耗小、性能优良的新光源选择。本发明是关于采用InGaSb柱形量子点实现高效率5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法的，能够实现锑化物体系的低维外延生长的研制，将为替代InP基材料器件，克服InP基材料其间难以高密度集成，温度稳定性差等缺点，为光通讯提供一种价格低廉、功耗小、性能优良的新光源选择。 |
| 公开日期 | 2010-01-13 |
| 申请日期 | 2009-04-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90251]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李占国,刘国军,尤明慧,等. 采用InGaSb柱形量子点实现高效率5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法. CN101626143A. 2010-01-13. |
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