| 半导体器件及其制造方法 | |
| 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫 | |
| 2004-09-15 | |
| 著作权人 | 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫 |
| 专利号 | CN1529902A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明的方法从生长在有不同晶格常数的衬底顶部的，原来位错和/或富于缺陷的晶格失配层，产生相干无位错区域，而不包含在晶格失配层生长之前或以后的任何处理步骤。该过程优选地在位错层的顶部原地形成一层帽层。该帽层最好有和下面衬底接近的晶格参数，而与在无应变状态下的晶格失配层的晶格参数不同。在这些条件下，该帽层在位错附近的区域受到弹性排斥，因为在该处晶格参数和衬底的晶格参数差别最大。在这些区域帽层不复存在。当帽层比起下面的晶格失配层有一个较低的热蒸发率时，晶格失配层包含位错的那些区域就在足够高的温度下被选择性地蒸发，而在衬底上只留下原先富于位错的晶格失配层的相干、无缺陷区。在本发明的一个实施方案中，在无衬底上形成的无缺陷区的尺寸被优选地调到30－1000nm范围，这依赖于退火条件，帽层的厚度和晶格失配。也同时公开了用本方法制作的器件。 |
| 公开日期 | 2004-09-15 |
| 申请日期 | 2002-05-07 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90111]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫. 半导体器件及其制造方法. CN1529902A. 2004-09-15. |
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