一种微激光器阵列的制备方法 | |
徐春祥; 朱刚毅; 戴俊; 林毅; 理记涛; 田正山 | |
2012-08-01 | |
著作权人 | 东南大学 |
专利号 | CN102623891A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种微激光器阵列的制备方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种n型氧化锌微米棒/p型氮化镓微激光器阵列的制备方法。该方法首先利用气相传输法或水热法制备出氧化锌(ZnO)微米棒单晶,然后将单根ZnO微米棒集成在表面镀有一层金属锌(Zn)薄膜的p型氮化镓(GaN),经过退火后,金属Zn薄膜完全变为ZnO薄膜,这样ZnO微米棒与p型GaN之间就形成了异质结。在镀有透明导电薄膜(如:氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(ZAO)等)玻璃一端再镀上一层金(Au)电极,然后将透明导电玻璃的扣在集成好ZnO微米棒的p型GaN衬底上,在透明导电玻璃和p型GaN之间注入环氧乙酯,通过对环氧乙酯退火固定器件的内部结构,最后在p型GaN表面制备电极,构成完整的器件。 |
公开日期 | 2012-08-01 |
申请日期 | 2012-01-17 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90093] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 东南大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐春祥,朱刚毅,戴俊,等. 一种微激光器阵列的制备方法. CN102623891A. 2012-08-01. |
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