| 一种激光器及其制作方法 | |
| 李翔; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 江德生 | |
| 2015-01-07 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN104269740A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。 |
| 公开日期 | 2015-01-07 |
| 申请日期 | 2014-09-23 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90063]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李翔,赵德刚,朱建军,等. 一种激光器及其制作方法. CN104269740A. 2015-01-07. |
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