| GaN基半导体器件及其制作方法 | |
| 严威; 孙逸; 冯美鑫; 周宇; 孙钱; 杨辉 | |
| 2017-05-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 专利号 | CN106684213A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基半导体器件及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为掩膜层，通过调控介质层的周期数达到不同的效果，当周期数较大时可以做为限制层，能够有效减少光损耗，降低激光器和超辐射发光二极管的阈值电流；当周期数较小时做为界面层，与底部的AlGaN组成另一个光波导结构，形成平板耦合光波导激光器、超辐射发光二极管，可以得到形状较好的近圆光斑。 |
| 公开日期 | 2017-05-17 |
| 申请日期 | 2015-11-06 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90048]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 严威,孙逸,冯美鑫,等. GaN基半导体器件及其制作方法. CN106684213A. 2017-05-17. |
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