| 一种在蓝宝石衬底上生长氮化镓材料的方法、氮化镓材料及其用途 | |
| 邢志刚; 林桂荣 | |
| 2017-08-11 | |
| 著作权人 | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 |
| 专利号 | CN107039250A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种在蓝宝石衬底上生长氮化镓材料的方法、氮化镓材料及其用途 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种在蓝宝石衬底上生长氮化镓材料的方法、生长得到的氮化镓材料及其用途，本发明通过在加热蓝宝石衬底的过程中向反应室通入第一金属有机物，起到了促进蓝宝石表面氧原子的脱附，以及在蓝宝石表面沉积金属原子的作用，然后在蓝宝石衬底上生长氮化镓，获得高质量的氮化镓材料，相比传统方法制备得到的氮化镓材料，本发明生长得到的氮化镓材料的XRD(002)衍射面和(102)衍射面的半峰宽可分别减小10角秒-80角秒和30角秒-110角秒，同时，本发明所述方法增大了后续生长氮化镓材料的工艺中多个步骤的工艺窗口，具有广阔的应用前景。 |
| 公开日期 | 2017-08-11 |
| 申请日期 | 2016-02-03 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90003]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢志刚,林桂荣. 一种在蓝宝石衬底上生长氮化镓材料的方法、氮化镓材料及其用途. CN107039250A. 2017-08-11. |
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