| p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及制备方法 | |
| 杜国同; 夏晓川; 赵旺; 梁红伟; 张宝林 | |
| 2011-11-30 | |
| 著作权人 | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 专利号 | CN102263369A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的n型GaN外延层、p型ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 申请日期 | 2010-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89948]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜国同,夏晓川,赵旺,等. p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及制备方法. CN102263369A. 2011-11-30. |
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