| 半导体器件及其制备方法和应用 | |
| 陈弘; 贾海强 | |
| 2016-04-20 | |
| 著作权人 | 中国科学院物理研究所 |
| 专利号 | CN105514793A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及其制备方法和应用 |
| 英文摘要 | 本发明提供的半导体器件包括依次形成的硅基材料基片、隔离层、化合物基半导体外延材料层，其中，所述隔离层的材料为金属材料或介质材料，本发明提供的半导体器件，通过在硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间建立隔离层，从而构建了硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间的晶格失配产生应力的缓冲层，这样，该半导体器件在工作时，硅基衬底与化合物基半导体外延材料两者晶格失配与热失配问题产生的大的应力问题得到良好隔离，半导体器件工作寿命延长。 |
| 公开日期 | 2016-04-20 |
| 申请日期 | 2014-10-17 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89944]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘,贾海强. 半导体器件及其制备方法和应用. CN105514793A. 2016-04-20. |
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