OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNGEINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
NG BAN LOONG CHRIS; OSZINDA THOMAS
2019-07-25
著作权人OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
专利号DE102018101393A1
国家德国
文献子类发明申请
其他题名OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNGEINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
英文摘要Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben mit- einem Halbleiterkörper, umfassend einen ersten Halbleiterbereich (4) undeinen zweiten Halbleiterbereich (5),- einer Ausnehmung (12), die sich durch den ersten Halbleiterbereich (4) erstreckt und eine Bodenfläche aufweist,an der der zweite Halbleiterbereich (5) freiliegt, und- einem Blockierelement (16), das auf der Bodenfläche angeordnet ist, wobei- die zumindest eineAusnehmung (12) parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers eine erste Breite (B1) und eine zweite Breite (B2) aufweist, und- die ersteBreite (B1) kleiner als die zweite Breite (B2) ist.
公开日期2019-07-25
申请日期2018-01-23
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89924]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
推荐引用方式
GB/T 7714
NG BAN LOONG CHRIS,OSZINDA THOMAS. OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNGEINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS. DE102018101393A1. 2019-07-25.
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