OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNGEINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS | |
NG BAN LOONG CHRIS; OSZINDA THOMAS | |
2019-07-25 | |
著作权人 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
专利号 | DE102018101393A1 |
国家 | 德国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNGEINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS |
英文摘要 | Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben mit- einem Halbleiterkörper, umfassend einen ersten Halbleiterbereich (4) undeinen zweiten Halbleiterbereich (5),- einer Ausnehmung (12), die sich durch den ersten Halbleiterbereich (4) erstreckt und eine Bodenfläche aufweist,an der der zweite Halbleiterbereich (5) freiliegt, und- einem Blockierelement (16), das auf der Bodenfläche angeordnet ist, wobei- die zumindest eineAusnehmung (12) parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers eine erste Breite (B1) und eine zweite Breite (B2) aufweist, und- die ersteBreite (B1) kleiner als die zweite Breite (B2) ist. |
公开日期 | 2019-07-25 |
申请日期 | 2018-01-23 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89924] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
推荐引用方式 GB/T 7714 | NG BAN LOONG CHRIS,OSZINDA THOMAS. OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNGEINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS. DE102018101393A1. 2019-07-25. |
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