| 半導体レーザ | |
| 開 達郎; 中尾 亮; 松尾 慎治; 相原 卓磨; 土澤 泰 | |
| 2019-05-30 | |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 专利号 | JP2019083268A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】化合物半導体層におけるレーザの部分の温度上昇が防げるようにする。 【解決手段】基板101の上に形成された下部クラッド層102と、下部クラッド層102の上に形成されたシリコンからなるシリコン層103と、シリコン層103の上に形成された化合物半導体からなる化合物半導体層105と、化合物半導体層105の上に形成された上部クラッド層106と、化合物半導体層105に形成されたレーザ部107とを備える。下部クラッド層102および上部クラッド層106の少なくとも一方が、SiCから構成されている。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2019-05-30 |
| 申请日期 | 2017-10-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89918]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 開 達郎,中尾 亮,松尾 慎治,等. 半導体レーザ. JP2019083268A. 2019-05-30. |
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