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	Production of epitaxial growth layer
	YANO MORICHIKA; YAMAMOTO SABUROU; KURATA YUKIO; MATSUI KANEKI; KOMURO AKIRA
	1978-09-02
著作权人	SHARP KK
专利号	JP1978100770A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	Production of epitaxial growth layer
英文摘要	PURPOSE:To form crystal films of good quality without defects by providing a temperature difference of T between melt and GaAs substrate in a slide type epitaxial growth method.
公开日期	1978-09-02
申请日期	1977-02-15
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89843]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP KK
推荐引用方式 GB/T 7714	YANO MORICHIKA,YAMAMOTO SABUROU,KURATA YUKIO,et al. Production of epitaxial growth layer. JP1978100770A. 1978-09-02.

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