Production of epitaxial growth layer | |
YANO MORICHIKA; YAMAMOTO SABUROU; KURATA YUKIO; MATSUI KANEKI; KOMURO AKIRA | |
1978-09-02 | |
著作权人 | SHARP KK |
专利号 | JP1978100770A |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | Production of epitaxial growth layer |
英文摘要 | PURPOSE:To form crystal films of good quality without defects by providing a temperature difference of T between melt and GaAs substrate in a slide type epitaxial growth method. |
公开日期 | 1978-09-02 |
申请日期 | 1977-02-15 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89843] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SHARP KK |
推荐引用方式 GB/T 7714 | YANO MORICHIKA,YAMAMOTO SABUROU,KURATA YUKIO,et al. Production of epitaxial growth layer. JP1978100770A. 1978-09-02. |
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