| 半導体レーザ | |
| 駒崎 岩男 | |
| 1993-12-17 | |
| 著作权人 | オリンパス光学工業株式会社 |
| 专利号 | JP1993335684A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、円形ビームを実現でき、高出力動作が期待でき、更に光情報処理用ばかりでなく、高速データ転送に対応する光源を実現しえることを主要な目的とする。 【構成】量子井戸活性層(23)上にメサ状の第2クラッド層(25)を設け、該クラッド層(25)を電流ブロック層(29)に埋めてなる自己整合型ダブルヘテロ構造の半導体レーザにおいて、前記活性層(23)上に超格子構造の光出力導波路層(24)が設けられ、かつ前記導波路層(24)と第2クラッド層(25)のメサ部の立ち上がりに対応する部分が少なくても無秩序化されていることを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1993-12-17 |
| 申请日期 | 1992-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89061]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オリンパス光学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 半導体レーザ. JP1993335684A. 1993-12-17. |
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