| 半導体レーザ | |
| 波多野 吾紅; 泉谷 敏英; 大場 康夫 | |
| 1998-09-11 | |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 专利号 | JP1998242567A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 新しいIII-V族系の化合物半導体材料を用いた短波長の半導体レーザを実現する。 【解決手段】 pn接合を有する半導体レーザにおいて、n型GaP基板11上に、発光層15をGaAlN系材料からなるp型及びn型のクラッド層14,16で挟んだダブルへテロ構造部が形成され、このダブルヘテロ構造部のp型クラッド層16上にGaN系材料からなる電流阻止層91が形成されている。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1989-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88910]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 波多野 吾紅,泉谷 敏英,大場 康夫. 半導体レーザ. JP1998242567A. 1998-09-11. |
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